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產(chǎn)品名稱:TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀
產(chǎn)品型號:
產(chǎn)品報價:20000
產(chǎn)品特點:TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀用于精密測量各種高壓電氣設(shè)備的絕緣介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ與電容量Cx,可鑒別電氣絕緣設(shè)備污染、破裂、穿孔、受潮等引起的缺陷和隱患。適用于變壓器、互感器、套管、電力電纜、電容器、絕緣子、高壓開關(guān)、避雷器等設(shè)備的介質(zhì)損耗和電容量測量。
TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀的詳細資料:
TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀 |
用于精密測量各種高壓電氣設(shè)備的絕緣介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ與電容量Cx,可鑒別電氣絕緣設(shè)備污染、破裂、穿孔、受潮等引起的缺陷和隱患。適用于變壓器、互感器、套管、電力電纜、電容器、絕緣子、高壓開關(guān)、避雷器等設(shè)備的介質(zhì)損耗和電容量測量。TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀是國內(nèi)*高壓電纜拖地使用對反接測試數(shù)據(jù)無影響的介損測試類儀器,并*采用了第四代抗干擾技術(shù):“全自動反干擾源”。成功解決了普通介損測試儀現(xiàn)場使用抗干擾能力差、反接法測試數(shù)據(jù)不準等問題。 |
產(chǎn)品特性 |
(1) *采用第四代抗干擾技術(shù)“全自動反干擾源”,在保證抗干擾效果的同時測試值的等效性優(yōu)于“異頻法”。 (2) 國內(nèi)*實現(xiàn)從高壓插座到高壓導線全絕緣的介損測試儀。高壓導線不僅能直接拖地使用,而且消除了反接測試時導線泄漏電流對測試結(jié)果的影響。10kV輸出時,對地無放電、無泄漏、無聲響。 |
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工作電源 | 電壓:AC220V±10% 頻率:50Hz±1Hz | |||||||||||||||||
使用環(huán)境 | 環(huán)境溫度:-10℃~40℃ 相對濕度:≤80% | |||||||||||||||||
外形尺寸 | 長390mm*寬290mm*高320mm | |||||||||||||||||
質(zhì)量 | 20Kg | |||||||||||||||||
測試工作方式 | 正接法 反接法 抗干擾正接法 抗干擾反接法 | |||||||||||||||||
輸出功率 | 1.5KVA | |||||||||||||||||
電容測量范圍 | 10KV: 0~40000pF | |||||||||||||||||
<5KV: 0~0.1μF | ||||||||||||||||||
電容z·ui小分辨率 | 0.001pF | |||||||||||||||||
電容精度 | 正接 ±(2%讀數(shù)+2pF) | |||||||||||||||||
反接 ±(2%讀數(shù)+10pF) | ||||||||||||||||||
介損測量范圍 | 0~50% | |||||||||||||||||
介損測量精度 |
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TE8000 抗干擾介質(zhì)損耗測試儀 |
高壓測試線 | |
一頭為線夾,一頭為高壓插頭,用于將高壓引至被試品,采用高性能絕緣導線制成.可拖地使用.使用前請將高壓插頭及線夾接牢靠. | |
高壓測試線 | |
一頭為紅、黑兩只線夾,一頭為航插。紅色線夾接Cx,黑色線夾接屏蔽,用于取得沒有干擾的測試信號。 | |
電源線 | |
黑色通用電源線,用于給儀器提供電源 | |
接地線 | |
黃綠相交10米接地線,一頭為金屬插針,一頭為夾子,用于儀器與地網(wǎng)連接,使儀器接地,儀器使用前,請接好地線 | |
打印紙2卷 | |
打印紙,安裝與打印機內(nèi),是儀器打印的必須耗材,隨機符帶兩卷 | |
保險管(10A)2只 | |
保險管,安裝與儀器電源插座內(nèi)或儀器面板保險盒內(nèi),防止因誤操作引起的大電流損壞儀器。當儀器不能正常工作時,可檢查保險管是否溶斷。 |
測試圖例 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
套管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
帶末屏的電容式套管,如裝于大型變壓器的電流互感器套管。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
(1)測量C1采用正接法測量接線及其等值原理圖如下圖所示: | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
(2)測量C2采用反接法,為了消除高壓端對地的雜散電容,可將TE2000 屏蔽端接到C1上端,接線及其等值原理圖如下圖所示: | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
電壓互感器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
(1)全絕緣式電壓互感器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
將高壓側(cè)及低壓側(cè)分別短路,其測量接線及其原理圖如下圖所示: | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
全絕緣式電壓互感器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
(2)串級式電壓互感器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
采用串級式電壓互感器,一般采用首端加壓法。這種試品也可以采用常規(guī)方法,但試驗電壓為2.5KV左右。接線及其等值原理圖如下圖所示: | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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全絕緣式電壓互感器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
電力變壓器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
(1)雙線圈變壓器接線方法如下圖所示: | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
(2)三線圈變壓器接線方法如下圖所示: | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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三線圈變壓器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
電容器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
電容式分壓互感器接線圖如下圖所示: | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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電力變壓器繞組的tgδ | ||
1)1~3年或自行規(guī)定 2)大修后 3)必要時 | 1)20℃時tgδ不大于下列數(shù)值: 330~500kV 0.6% 66~220kV 0.8% 35kV及以下 1.5% 2)tgδ值與歷年的數(shù)值比較不應(yīng)有顯著變化(一般不大于30%) 3)試驗電壓如下: 繞組電壓10kV及以上 10kV 繞組電壓10kV以下 Un 4)用M型試驗器時試驗電壓自行規(guī)定 | 1)非被試繞組應(yīng)接地或屏蔽 2) 同一變壓器各繞組tgδ的要求值相同 3)測量溫度以頂層油溫為準,盡量使每次測量的溫度相近 4)盡量在油溫低于50℃時測量,不同溫度下的tgδ值一般可按下式換算 tgδ2=tgδ1×1.3(t2-t1)/10 式中tgδ1、tgδ2分別為溫度t1、t2時的tgδ值 |
電流互感器的tgδ及電容量 | ||||||||||||||||||||
1)投運前 2)1~3年 3)大修后 4)必要時 | 1)主絕緣tgδ(%)不應(yīng)大于下表中的數(shù)值,且與歷年數(shù)據(jù)比較,不應(yīng)有顯著變化:
3)當電容型電流互感器末屏對地絕緣電阻小于1000MΩ時,應(yīng)測量末屏對地tgδ,其值不大于2% | 1)主絕緣tgδ試驗電壓為10kV,末屏對地tgδ試驗電壓為2kV 2)油紙電容型tgδ一般不進行溫度換算,當tgδ值與出廠值或上一次試驗值比較有明顯增長時,應(yīng)綜合分析tgδ與溫度、電壓的關(guān)系,當tgδ隨溫度明顯變化或試驗電壓由10kV升到Um/√3 時,tgδ增量超過±0.3%,不應(yīng)繼續(xù)運行 3)固體絕緣互感器可不進行tgδ測量 |
電磁式電壓互感器的tgδ(20kV及以上) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
1)繞組絕緣: a)1~3年 b)大修后 c)必要時 2)66~220kV串級式電壓互感器支架: a)投運前 b)大修后 c)必要時 | 1)繞組絕緣tgδ(%)不應(yīng)大于下表中數(shù)值:
| 串級式電壓互感器的tgδ試驗方法建議采用末端屏蔽法,其它試驗方法與要求自行規(guī)定 |
電容式電壓互感器的中間變壓器的tgδ | ||
1)大修后 2)必要時 | 與初始值相比不應(yīng)有顯著變化 |
SF6斷路器和GIS的斷口間并聯(lián)電容器的絕緣電阻、電容量和tgδ | ||
1)1~3年 2)大修后 3)必要時 | 1)對瓷柱式斷路器和斷口同時測量,測得的電容值和tgδ與原始值比較,應(yīng)無明顯變化 2)罐式斷路器(包括GIS中的SF6斷路器)按制造廠規(guī)定 3)單節(jié)電容器按斷路器電容器規(guī)定 | 1)大修時,對瓷柱式斷路器應(yīng)測量電容器和斷口并聯(lián)后整體的電容值和tgδ,作為該設(shè)備的原始數(shù)據(jù) 2)對罐式斷路器(包括GIS中的SF6斷路器)必要時進行試驗,試驗方法按制造廠規(guī)定 |
多油斷路器和少油斷路器40.5kV及以上非純瓷套管和多油斷路器的tgδ | ||||||||||
1)1~3年 2)大修后 | 1)20℃時多油斷路器的非純瓷套管的tgδ(%)值見表20 2)20℃時非純瓷套管斷路器的tgδ(%)值,可比表20中相應(yīng)的tgδ(%)值增加下列數(shù)值:
| 1)在分閘狀態(tài)下按每支套管進行測量。測量的tgδ超過規(guī)定值或有顯著增大時,必須落下油箱進行分解試驗。對不能落下油箱的斷路器,則應(yīng)將油放出,使套管下部及滅弧室露出油面,然后進行分解試驗 2)斷路器大修而套管不大修時,應(yīng)按套管運行中規(guī)定的相應(yīng)數(shù)值增加 3)帶并聯(lián)電阻斷路器的整體tgδ(%)可相應(yīng)增加1 |
多油斷路器和少油斷路器滅弧室的并聯(lián)電阻值,并聯(lián)電容器的電容量和tgδ | ||
1)大修后 2)必要時 | 1)并聯(lián)電阻值應(yīng)符合制造廠規(guī)定 2)并聯(lián)電容器按下方高壓并聯(lián)電容器規(guī)定 |
空氣斷路器滅弧室的并聯(lián)電阻,均壓電容器的電容量和tgδ | ||
1)大修后 | 1)并聯(lián)電阻值符合制造廠規(guī)定 2)均壓電容器按斷路器電容器規(guī)定 |
套管的主絕緣及電容型套管對地末屏tgδ與電容量 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1)1~3年 2)大修(包括主設(shè)備大修)后 3)必要時 | 1)20℃時的tgδ(%)值應(yīng)不大于下表中數(shù)值:
3)電容型套管的電容值與出廠值或上一次試驗值的差別超出±5%時,應(yīng)查明原因 | 1)油紙電容型套管的tgδ一般不進行溫度換算,當tgδ與出廠值或上一次測試值比較有明顯增長或接近左表數(shù)值時,應(yīng)綜合分析tgδ與溫度、電壓的關(guān)系。當tgδ隨溫度增加明顯增大或試驗電壓由10kV升到Um/√3 時,tgδ增量超過±0.3%,不應(yīng)繼續(xù)運行 2)20kV以下純瓷套管及與變壓器油連通的油壓式套管不測tgδ 3)測量變壓器套管tgδ時,與被試套管相連的所有繞組端子連在一起加壓,其余繞組端子均接地,末屏接電橋,正接線測量 |
高壓并聯(lián)電容器、串聯(lián)電容器和交流濾波電容器的電容值 | ||
1)投運后1年內(nèi) 2)1~5年 | 1)電容值偏差不超出額定值的-5%~+10%范圍 2)電容值不應(yīng)小于出廠值的95% | 用電橋法或電流電壓法測量 |
耦合電容器和電容式電壓互感器的電容分壓器的tgδ | ||
1)投運后1年內(nèi) 2)1~3年 | 10kV下的tgδ值不大于下列數(shù)值: 油紙絕緣 0.005 膜紙復(fù)合絕緣 0.002 | 1)當tgδ值不符合要求時,可在額定電壓下復(fù)測,復(fù)測值如符合10kV下的要求,可繼續(xù)投運 2)電容式電壓互感器低壓電容的試驗電壓值自定 |
斷路器電容器的電容值 | ||
1)1~3年 2)斷路器大修后 | 電容值偏差應(yīng)在額定值的±5%范圍內(nèi) | 用電橋法 |
斷路器電容器的tgδ | ||
1)1~3年 2)斷路器大修后 | 10kV下的tgδ值不大于下列數(shù)值: 油紙絕緣 0.005 膜紙復(fù)合絕緣 0.0025 |
集合式電容器的電容值 | ||
1)投運后1年內(nèi) 2)1~5年 3)吊芯修理后 | 1)每相電容值偏差應(yīng)在額定值的-5%~+10%的范圍內(nèi),且電容值不小于出廠值 的96% 2)三相中每兩線路端子間測得的電容值的z·ui大值與z·ui小值之比不大于1.06 3)每相用三個套管引出的電容器組,應(yīng)測量每兩個套管之間的電容量,其值與出廠值相差在±5%范圍內(nèi) |
串聯(lián)電抗器的繞組tgδ | ||
1)大修后 2)必要時 | 20℃下的tgδ(%)值不大于: 35kV及以下 3.5 66kV 2.5 | 僅對800kvar以上的油浸鐵芯電抗器進行 |
放電線圈的繞組的tgδ | |
1)大修后 2)必要時 | 參照電磁式電壓互感器 |
同步發(fā)電機、調(diào)相機定子繞組瀝青云母和烘卷云母絕緣老化鑒定試驗項目和要求 | ||||||||||||||
整相繞組(或分支)及單根線棒的tgδ增量(Δtgδ) | 1)主絕緣tgδ(%)不應(yīng)大于下表中的數(shù)值,且與歷年數(shù)據(jù)比較,不應(yīng)有顯著變化:
2)定子電壓為6kV和10kV的單根線棒在兩個不同電壓下的Δtgδ(%)值不大于下列值:
| 1)在絕緣不受潮的狀態(tài)下進行試驗 2)槽外測量單根線棒tgδ時,線棒兩端應(yīng)加屏蔽環(huán) 3)可在環(huán)境溫度下試驗 |
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